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   以氧化锌（ZnO）等为代表的第三代半导体材料是近年来迅速发展起来的新型半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强的优点，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，正在成为全球半导体产业新的战略高地。
   ZnO具有激子束缚能高、可见光透过率高、紫外吸收强等特点，同时拥有压电、热电等特性，是一种独特的第三代半导体材料。ZnO半导体材料的研究吸引了全世界科学家的关注，已成为当前科研的前沿热点之一。经过十多年持续的攻关研究，人们对ZnO半导体的光、电、磁及压电等特性的理解和研究不断深入。ZnO半导体在太阳能电池、发电机、传感器、探测器、发光二极管和激光器等领域的应用成果不断涌现，特别是ZnO透明导电膜、薄膜晶体管等方面的大规模工业应用已迅速展开。目前，ZnO的研究已进入功能扩展与综合利用的新阶段，有着巨大的潜在应用前景。
   全国氧化锌学术会议是由中国物理学会发光分会主办的专注ZnO科学研究进展交流的全国性重要会议，每两年举办一次。第八届全国氧化锌学术会议拟定于2017年10月29-31日在南宁市相思湖国际大酒店召开，本届会议由北京科技大学、广西大学和广西光学学会联合承办。本届会议旨在集中展示我国ZnO研究领域取得的最新科研成果，为相关科技工作者提供一个学术和技术交流的平台，共同研讨ZnO研究中存在的基本科学和技术问题，探寻解决途径，大力推动我国在ZnO相关物理问题和器件应用方面的研究。
    会议将邀请海内外从事ZnO研究的著名专家学者作大会专题报告，并将安排分会邀请报告、墙报展示和专题讨论等活动。热忱欢迎国内外广大科技工作者，特别是青年科技工作者和研究生踊跃投稿，同时欢迎相关设备和仪器制造领域的科技人员和厂商参加交流展览。
    会议网站：http://www.credsh.com/。

2017年9月25日            论文与口头报告(包括大会与邀请报告)摘要截止提交日期
2017年10月10日          会议张贴报告迟送截止提交日期、参会回执接收截止日
2017年10月29日          会议代表报到
2017年10月30-31日     大会报告、分会报告、墙报展示

•	第八届全国氧化锌学术会议通知盖章版 2017/11/18
•	第八届全国氧化锌会议合影留念相片下载 2017/11/08
•	交通路线图 2017/10/27
•	第八届全国氧化锌学术会议征文第三轮通知参会回执 2017/09/24
•	企业赞助方案 2017/09/24

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